Загрузка...
Diamond FinFET without Hydrogen Termination
In this letter we report the first diamond fin field-effect transistor (diamond FinFET) without a hydrogen-terminated channel. The device operates with hole accumulation by metal-oxide-semiconductor (MOS) structures built on fins to maintain effective control of the channel conduction. Devices with...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Sci Rep |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Nature Publishing Group UK
2018
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5814511/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29449602 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-20803-5 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|