Ładuje się......

Morphology, Structure, and Optical Properties of Semiconductor Films with GeSiSn Nanoislands and Strained Layers

The dependences of the two-dimensional to three-dimensional growth (2D-3D) critical transition thickness on the composition for GeSiSn films with a fixed Ge content and Sn content from 0 to 16% at the growth temperature of 150 °С have been obtained. The phase diagrams of the superstructure change du...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Nanoscale Res Lett
Główni autorzy: Timofeev, Vyacheslav, Nikiforov, Alexandr, Tuktamyshev, Artur, Mashanov, Vladimir, Yesin, Michail, Bloshkin, Aleksey
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Springer US 2018
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5775191/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29352352
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2429-6
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!