লোডিং...
Photovoltaic Ge/Si quantum dot detectors operating in the mid-wave atmospheric window (3 to 5 μm)
Ge/Si quantum dots fabricated by molecular-beam epitaxy at 500°C are overgrown with Si at different temperatures T(cap), and effect of boron delta doping of Si barriers on the mid-infrared photoresponse was investigated. The photocurrent maximum shifts from 2.3 to 3.9 μm with increasing T(cap)from 3...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer
2012
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3499146/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22938028 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-494 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|