লোডিং...

Influence of delta-doping on the hole capture probability in Ge/Si quantum dot mid-infrared photodetectors

We study the effect of delta-doping on the hole capture probability in ten-period p-type Ge quantum dot photodetectors. The boron concentration in the delta-doping layers is varied by either passivation of a sample in a hydrogen plasma or by direct doping during the molecular beam epitaxy. The devic...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Yakimov, Andrew, Kirienko, Victor, Timofeev, Vyacheslav, Bloshkin, Aleksei, Dvurechenskii, Anatolii
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Springer 2014
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4171572/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25249825
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-504
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!