Đang tải...

Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate

Strain-engineered self-assembled GeSn/GeSiSn quantum dots in Ge matrix have been numerically investigated aiming to study their potentiality towards direct bandgap emission in the mid-IR range. The use of GeSiSn alloy as surrounding media for GeSn quantum dots (QD) allows adjusting the strain around...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Nanoscale Res Lett
Những tác giả chính: Al-Saigh, Reem, Baira, Mourad, Salem, Bassem, Ilahi, Bouraoui
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer US 2018
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5991110/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29882031
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2587-1
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!