Đang tải...
Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate
Strain-engineered self-assembled GeSn/GeSiSn quantum dots in Ge matrix have been numerically investigated aiming to study their potentiality towards direct bandgap emission in the mid-IR range. The use of GeSiSn alloy as surrounding media for GeSn quantum dots (QD) allows adjusting the strain around...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer US
2018
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5991110/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29882031 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2587-1 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|