Sub-10 Nanometer Feature Size in Silicon Using Thermal Scanning Probe Lithography

[Image: see text] High-resolution lithography often involves thin resist layers which pose a challenge for pattern characterization. Direct evidence that the pattern was well-defined and can be used for device fabrication is provided if a successful pattern transfer is demonstrated. In the case of t...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:ACS Nano
Những tác giả chính: Ryu Cho, Yu Kyoung, Rawlings, Colin D., Wolf, Heiko, Spieser, Martin, Bisig, Samuel, Reidt, Steffen, Sousa, Marilyne, Khanal, Subarna R., Jacobs, Tevis D. B., Knoll, Armin W.
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: American Chemical Society 2017
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5746844/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29083870
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acsnano.7b06307
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự