Ładuje się......
Physics of Efficiency Droop in GaN:Eu Light-Emitting Diodes
The internal quantum efficiency (IQE) of an electrically-driven GaN:Eu based device for red light emission is analyzed in the framework of a current injection efficiency model (CIE). The excitation path of the Eu(+3) ion is decomposed in a multiple level system, which includes the carrier transport...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5711846/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29196749 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-17033-6 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|