تحميل...
Thermophysical Characterization of Efficiency Droop in GaN-Based Light-Emitting Diodes
An efficiency droop in GaN-based light-emitting diodes (LED) was characterized by examining its general thermophysical parameters. An effective suppression of emission degradation afforded by the introduction of InGaN/GaN heterobarrier structures in the active region was attributable to an increase...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8227426/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/34070771 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano11061449 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|