লোডিং...
The Fabrication and Characterization of Ni/4H-SiC Schottky Diode Radiation Detectors with a Sensitive Area of up to 4 cm(2)
Silicon carbide (SiC) detectors of an Ni/4H-SiC Schottky diode structure and with sensitive areas of 1–4 cm(2) were fabricated using high-quality lightly doped epitaxial 4H-SiC material, and were tested in the detection of alpha particles and pulsed X-rays/UV-light. A linear energy response to alpha...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Sensors (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2017
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5677359/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29027944 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/s17102334 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|