লোডিং...
Enhancement of the Device Performance and the Stability with a Homojunction-structured Tungsten Indium Zinc Oxide Thin Film Transistor
Tungsten-indium-zinc-oxide thin-film transistors (WIZO-TFTs) were fabricated using a radio frequency (RF) co-sputtering system with two types of source/drain (S/D)-electrode material of conducting WIZO (homojunction structure) and the indium-tin oxide (ITO) (heterojunction structure) on the same WIZ...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Sci Rep |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5599534/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28912566 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-12114-y |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|