تحميل...
Boron-Incorporating Silicon Nanocrystals Embedded in SiO(2): Absence of Free Carriers vs. B-Induced Defects
Boron (B) doping of silicon nanocrystals requires the incorporation of a B-atom on a lattice site of the quantum dot and its ionization at room temperature. In case of successful B-doping the majority carriers (holes) should quench the photoluminescence of Si nanocrystals via non-radiative Auger rec...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5566216/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28827565 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-08814-0 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|