লোডিং...
Oxygen Partial Pressure Impact on Characteristics of Indium Titanium Zinc Oxide Thin Film Transistor Fabricated via RF Sputtering
Indium titanium zinc oxide (InTiZnO) as the channel layer in thin film transistor (TFT) grown by RF sputtering system is proposed in this work. Optical and electrical properties were investigated. By changing the oxygen flow ratio, we can suppress excess and undesirable oxygen-related defects to som...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2017
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5535222/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28672868 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano7070156 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|