Đang tải...
Ab initio calculation of energy levels for phosphorus donors in silicon
The s manifold energy levels for phosphorus donors in silicon are important input parameters for the design and modeling of electronic devices on the nanoscale. In this paper we calculate these energy levels from first principles using density functional theory. The wavefunction of the donor electro...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5519722/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28729674 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-06296-8 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|