লোডিং...
Nitrogen-Polar (000 [Formula: see text]) GaN Grown on c-Plane Sapphire with a High-Temperature AlN Buffer
We demonstrate growing nitrogen-polar (N-polar) GaN epilayer on c-plane sapphire using a thin AlN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition. We have studied the influence of the AlN buffer layer on the polarity, crystalline quality, and surface morphology of the GaN epilayer and found t...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Materials (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2017
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5503403/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28772612 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma10030252 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|