A carregar...
Nitrogen-Polar (000 1 ¯ ) GaN Grown on c-Plane Sapphire with a High-Temperature AlN Buffer
We demonstrate growing nitrogen-polar (N-polar) GaN epilayer on c-plane sapphire using a thin AlN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition. We have studied the influence of the AlN buffer layer on the polarity, crystalline quality, and surface morphology of the GaN epilayer and found t...
Na minha lista:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
MDPI AG
2017-03-01
|
| Colecção: | Materials |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://www.mdpi.com/1996-1944/10/3/252 |
| Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|