Retention Model of TaO/HfO(x) and TaO/AlO(x) RRAM with Self-Rectifying Switch Characteristics

A retention behavior model for self-rectifying TaO/HfO(x)- and TaO/AlO(x)-based resistive random-access memory (RRAM) is proposed. Trapping-type RRAM can have a high resistance state (HRS) and a low resistance state (LRS); the degradation in a LRS is usually more severe than that in a HRS, because t...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Nanoscale Res Lett
المؤلفون الرئيسيون: Lin, Yu-De, Chen, Pang-Shiu, Lee, Heng-Yuan, Chen, Yu-Sheng, Rahaman, Sk. Ziaur, Tsai, Kan-Hsueh, Hsu, Chien-Hua, Chen, Wei-Su, Wang, Pei-Hua, King, Ya-Chin, Lin, Chrong Jung
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Springer US 2017
الموضوعات:
Nano Express
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5469721/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28618715
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2179-5
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة