Infrared Reflectance Analysis of Epitaxial n-Type Doped GaN Layers Grown on Sapphire

Infrared (IR) reflectance spectroscopy is applied to study Si-doped multilayer n(+)/n(0)/n(+)-GaN structure grown on GaN buffer with GaN-template/sapphire substrate. Analysis of the investigated structure by photo-etching, SEM, and SIMS methods showed the existence of the additional layer with the d...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Nanoscale Res Lett
المؤلفون الرئيسيون: Tsykaniuk, Bogdan I., Nikolenko, Andrii S., Strelchuk, Viktor V., Naseka, Viktor M., Mazur, Yuriy I., Ware, Morgan E., DeCuir, Eric A., Sadovyi, Bogdan, Weyher, Jan L., Jakiela, Rafal, Salamo, Gregory J., Belyaev, Alexander E.
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Springer US 2017
الموضوعات:
Nano Express
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5465006/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28599511
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2171-0
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة