Bipolar Resistive Switching Characteristics of HfO(2)/TiO(2)/HfO(2) Trilayer-Structure RRAM Devices on Pt and TiN-Coated Substrates Fabricated by Atomic Layer Deposition

The HfO(2)/TiO(2)/HfO(2) trilayer-structure resistive random access memory (RRAM) devices have been fabricated on Pt- and TiN-coated Si substrates with Pt top electrodes by atomic layer deposition (ALD). The effect of the bottom electrodes of Pt and TiN on the resistive switching properties of trila...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Nanoscale Res Lett
Główni autorzy: Zhang, Wei, Kong, Ji-Zhou, Cao, Zheng-Yi, Li, Ai-Dong, Wang, Lai-Guo, Zhu, Lin, Li, Xin, Cao, Yan-Qiang, Wu, Di
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Springer US 2017
Hasła przedmiotowe:
Nano Express
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5465003/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28599512
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2164-z
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy