تحميل...
Bipolar Resistive Switching Characteristics of HfO(2)/TiO(2)/HfO(2) Trilayer-Structure RRAM Devices on Pt and TiN-Coated Substrates Fabricated by Atomic Layer Deposition
The HfO(2)/TiO(2)/HfO(2) trilayer-structure resistive random access memory (RRAM) devices have been fabricated on Pt- and TiN-coated Si substrates with Pt top electrodes by atomic layer deposition (ALD). The effect of the bottom electrodes of Pt and TiN on the resistive switching properties of trila...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Springer US
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5465003/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28599512 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2164-z |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|