Single-Crystal Y(2)O(3) Epitaxially on GaAs(001) and (111) Using Atomic Layer Deposition

Single-crystal atomic-layer-deposited (ALD) Y(2)O(3) films 2 nm thick were epitaxially grown on molecular beam epitaxy (MBE) GaAs(001)-4 × 6 and GaAs(111)A-2 × 2 reconstructed surfaces. The in-plane epitaxy between the ALD-oxide films and GaAs was observed using in-situ reflection high-energy electr...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Materials (Basel)
المؤلفون الرئيسيون: Lin, Y. H., Cheng, C. K., Chen, K. H., Fu, C. H., Chang, T. W., Hsu, C. H., Kwo, J., Hong, M.
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MDPI 2015
الموضوعات:
Article
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5455383/
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma8105364
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة