Atom-to-atom interactions for atomic layer deposition of trimethylaluminum on Ga-rich GaAs(001)-4 × 6 and As-rich GaAs(001)-2 × 4 surfaces: a synchrotron radiation photoemission study

High-resolution synchrotron radiation photoemission was employed to study the effects of atomic-layer-deposited trimethylaluminum (TMA) and water on Ga-rich GaAs(001)-4 × 6 and As-rich GaAs(001)-2 × 4 surfaces. No high charge states were found in either As 3d or Ga 3d core-level spectra before and a...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Pi, Tun-Wen, Lin, Hsiao-Yu, Liu, Ya-Ting, Lin, Tsung-Da, Wertheim, Gunther K, Kwo, Jueinai, Hong, Minghwei
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer 2013
נושאים:
Nano Express
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3656810/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23587341
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-8-169
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים