טוען...
Electrical Contacts on Silicon Nanowires Produced by Metal-Assisted Etching: a Comparative Approach
Silicon nanowires fabricated by metal-assisted chemical etching can present low porosity and a rough surface depending on the doping level of the original silicon wafer. In this case, wiring of silicon nanowires may represent a challenging task. We investigated two different approaches to realize th...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Springer US
2016
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5073083/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27766607 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1689-x |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|