Ładuje się......
Aspect Ratio Model for Radiation-Tolerant Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout
In order to acquire radiation-tolerant characteristics in integrated circuits, a dummy gate-assisted n-type metal oxide semiconductor field effect transistor (DGA n-MOSFET) layout was adopted. The DGA n-MOSFET has a different channel shape compared with the standard n-MOSFET. The standard n-MOSFET h...
Zapisane w:
| Wydane w: | Int Sch Res Notices |
|---|---|
| Główni autorzy: | , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Hindawi Publishing Corporation
2014
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4897586/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27350975 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1155/2014/145759 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|