লোডিং...

Polarization memory effect in the photoluminescence of nc-Si−SiO(x) light-emitting structures

The polarization memory (PM) effect in the photoluminescence (PL) of the porous nc-Si−SiO(x) light-emitting structures, containing nanoparticles of silicon (nc-Si) in the oxide matrix and passivated in a solution of hydrofluoric acid (HF), has been investigated. The studied nc-Si−SiO(x) structures w...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রকাশিত:Nanoscale Res Lett
প্রধান লেখক: Michailovska, Katerina, Indutnyi, Ivan, Shepeliavyi, Petro, Sopinskyy, Mykola
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Springer US 2016
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4889963/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27255897
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1496-4
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!