Načítá se...

Polarization memory effect in the photoluminescence of nc-Si−SiO(x) light-emitting structures

The polarization memory (PM) effect in the photoluminescence (PL) of the porous nc-Si−SiO(x) light-emitting structures, containing nanoparticles of silicon (nc-Si) in the oxide matrix and passivated in a solution of hydrofluoric acid (HF), has been investigated. The studied nc-Si−SiO(x) structures w...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Nanoscale Res Lett
Hlavní autoři: Michailovska, Katerina, Indutnyi, Ivan, Shepeliavyi, Petro, Sopinskyy, Mykola
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Springer US 2016
Témata:
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4889963/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27255897
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1496-4
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!