Ładuje się......
Influence of GaAsBi Matrix on Optical and Structural Properties of InAs Quantum Dots
InAs/GaAsBi dot-in-well structures were fabricated using gas-source molecular beam epitaxy and investigated for its optical and structural properties. GaAsBi-strained buffer layer and strain reduction layer are both effective to extend the photoluminescence (PL) emission wavelength of InAs quantum d...
Zapisane w:
| Wydane w: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Springer US
2016
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4889962/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27255900 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1470-1 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|