Đang tải...
Detailed Study of the Influence of InGaAs Matrix on the Strain Reduction in the InAs Dot-In-Well Structure
InAs/InGaAs dot-in-well (DWELL) structures have been investigated with the systematically varied InGaAs thickness. Both the strained buffer layer (SBL) below the dot layer and the strain-reducing layer (SRL) above the dot layer were found to be responsible for the redshift in photoluminescence (PL)...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer US
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4773316/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26932758 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1339-3 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|