טוען...

Detailed Study of the Influence of InGaAs Matrix on the Strain Reduction in the InAs Dot-In-Well Structure

InAs/InGaAs dot-in-well (DWELL) structures have been investigated with the systematically varied InGaAs thickness. Both the strained buffer layer (SBL) below the dot layer and the strain-reducing layer (SRL) above the dot layer were found to be responsible for the redshift in photoluminescence (PL)...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Nanoscale Res Lett
Main Authors: Wang, Peng, Chen, Qimiao, Wu, Xiaoyan, Cao, Chunfang, Wang, Shumin, Gong, Qian
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer US 2016
נושאים:
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4773316/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26932758
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1339-3
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!