Leakage Current Mechanism of InN-Based Metal-Insulator-Semiconductor Structures with Al(2)O(3) as Dielectric Layers

InN-based metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were prepared with Al(2)O(3) as the gate oxides. Surface morphologies of InN films are improved with increasing Mg doping concentrations. At high frequencies, the measured capacitance densities deviate from the real ones with turning frequenci...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রকাশিত:Nanoscale Res Lett
প্রধান লেখক: Wang, X., Zhang, G. Z., Xu, Y., Gan, X. W., Chen, C., Wang, Z., Wang, Y., Wang, J. L., Wang, T., Wu, H., Liu, C.
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Springer US 2016
বিষয়গুলি:
Nano Express
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4710628/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26759357
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-016-1232-0
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি