লোডিং...
Quantitative evaluation of microtwins and antiphase defects in GaP/Si nanolayers for a III–V photonics platform on silicon using a laboratory X-ray diffraction setup
This study is carried out in the context of III–V semiconductor monolithic integration on silicon for optoelectronic device applications. X-ray diffraction is combined with atomic force microscopy and scanning transmission electron microscopy for structural characterization of GaP nanolayers grown o...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | J Appl Crystallogr |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
International Union of Crystallography
2015
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4453976/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26089763 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1107/S1600576715009954 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|