Optical properties and bandgap evolution of ALD HfSiO(x) films

Hafnium silicate films with pure HfO(2) and SiO(2) samples as references were fabricated by atomic layer deposition (ALD) in this work. The optical properties of the films as a function of the film composition were measured by vacuum ultraviolet (VUV) ellipsometer in the energy range of 0.6 to 8.5 e...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Nanoscale Res Lett
المؤلفون الرئيسيون: Yang, Wen, Fronk, Michael, Geng, Yang, Chen, Lin, Sun, Qing-Qing, Gordan, Ovidiu D, zhou, Peng, Zahn, Dietrich RT, Zhang, David Wei
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Springer US 2015
الموضوعات:
Nano Express
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4385042/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25852329
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-014-0724-z
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة