CORRIGENDUM: Nanocrystalline ZnON; High mobility and low band gap semiconductor material for high performance switch transistor and image sensor application

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijät: Lee, Eunha, Benayad, Anass, Shin, Taeho, Lee, HyungIk, Ko, Dong-Su, Kim, Tae Sang, Son, Kyoung Seok, Ryu, Myungkwan, Jeon, Sanghun, Park, Gyeong-Su
Aineistotyyppi: Artigo
Kieli:Inglês
Julkaistu: Nature Publishing Group 2014
Aiheet:
Corrigenda
Linkit:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4217112/
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep06897
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!

Samankaltaisia teoksia