CORRIGENDUM: Nanocrystalline ZnON; High mobility and low band gap semiconductor material for high performance switch transistor and image sensor application

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Detalhes bibliográficos
Main Authors: Lee, Eunha, Benayad, Anass, Shin, Taeho, Lee, HyungIk, Ko, Dong-Su, Kim, Tae Sang, Son, Kyoung Seok, Ryu, Myungkwan, Jeon, Sanghun, Park, Gyeong-Su
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Nature Publishing Group 2014
Assuntos:
Corrigenda
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4217112/
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep06897
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