Ładuje się......
Fundamental role of arsenic flux in nanohole formation by Ga droplet etching on GaAs(001)
Nanoholes with a depth in the range of tens of nanometers can be formed on GaAs(001) surfaces at a temperature of 500°C by local etching after Ga droplet formation. In this work, we demonstrate that the local etching or nanodrilling process starts when the Ga droplets are exposed to arsenic. The ess...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Springer
2014
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4071335/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24994962 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-309 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|