Đang tải...
Quantum Conductance in Silicon Oxide Resistive Memory Devices
Resistive switching offers a promising route to universal electronic memory, potentially replacing current technologies that are approaching their fundamental limits. In many cases switching originates from the reversible formation and dissolution of nanometre-scale conductive filaments, which const...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2013
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3776960/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24048282 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep02708 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Đang tải...