Đang tải...
Investigation of electronic properties of graphene/Si field-effect transistor
We report a high-performance graphene/Si field-effect transistor fabricated via rapid chemical vapor deposition. Oligolayered graphene with a large uniform surface acts as the local gate of the graphene transistors. The scaled transconductance, g(m), of the graphene transistors exceeds 3 mS/μm, and...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2012
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3533520/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23244050 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-677 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|