Đang tải...

Investigation of electronic properties of graphene/Si field-effect transistor

We report a high-performance graphene/Si field-effect transistor fabricated via rapid chemical vapor deposition. Oligolayered graphene with a large uniform surface acts as the local gate of the graphene transistors. The scaled transconductance, g(m), of the graphene transistors exceeds 3 mS/μm, and...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Ma, Xiying, Gu, Weixia, Shen, Jiaoyan, Tang, Yunhai
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer 2012
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3533520/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23244050
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-677
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!