Đang tải...
Graphene nanoribbon field-effect transistor at high bias
Combination of high-mean free path and scaling ability makes graphene nanoribbon (GNR) attractive for application of field-effect transistors and subject of intense research. Here, we study its behaviour at high bias near and after electrical breakdown. Theoretical modelling, Monte Carlo simulation,...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2014
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4232815/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25404874 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-604 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|