Ładuje się......
Effect of non-lattice oxygen on ZrO(2)-based resistive switching memory
ZrO(2)-based resistive switching memory has attracted much attention according to its possible application in the next-generation nonvolatile memory. The Al/ZrO(2)/Pt resistive switching memory with bipolar resistive switching behavior is revealed in this work. The thickness of the ZrO(2 )film is on...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Springer
2012
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3324381/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22416817 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-187 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|