Compliance-Free ZrO(2)/ZrO(2 − x)/ZrO(2) Resistive Memory with Controllable Interfacial Multistate Switching Behaviour

A controllable transformation from interfacial to filamentary switching mode is presented on a ZrO(2)/ZrO(2 − x)/ZrO(2) tri-layer resistive memory. The two switching modes are investigated with possible switching and transformation mechanisms proposed. Resistivity modulation of the ZrO(2 − x) layer...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Опубликовано в: :Nanoscale Res Lett
Главные авторы: Huang, Ruomeng, Yan, Xingzhao, Ye, Sheng, Kashtiban, Reza, Beanland, Richard, Morgan, Katrina A., Charlton, Martin D. B., de Groot, C. H. (Kees)
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: Springer US 2017
Предметы:
Nano Express
Online-ссылка:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5457368/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28582965
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2155-0
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы