Compliance-Free ZrO(2)/ZrO(2 − x)/ZrO(2) Resistive Memory with Controllable Interfacial Multistate Switching Behaviour

A controllable transformation from interfacial to filamentary switching mode is presented on a ZrO(2)/ZrO(2 − x)/ZrO(2) tri-layer resistive memory. The two switching modes are investigated with possible switching and transformation mechanisms proposed. Resistivity modulation of the ZrO(2 − x) layer...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Nanoscale Res Lett
Main Authors: Huang, Ruomeng, Yan, Xingzhao, Ye, Sheng, Kashtiban, Reza, Beanland, Richard, Morgan, Katrina A., Charlton, Martin D. B., de Groot, C. H. (Kees)
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer US 2017
נושאים:
Nano Express
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5457368/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28582965
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2155-0
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים