Đang tải...

Mechanical Deformation Induced in Si and GaN Under Berkovich Nanoindentation

Details of Berkovich nanoindentation-induced mechanical deformation mechanisms of single-crystal Si(100) and the metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) derived GaN thin films have been systematic investigated by means of micro-Raman spectroscopy and cross-sectional transmission electron mic...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Jian, Sheng-Rui
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer 2007
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3244777/
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1007/s11671-007-9106-0
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!