Načítá se...
Dislocation luminescence in GaN single crystals under nanoindentation
This work presents an experimental study on the dislocation luminescence in GaN by nanoindentation, cathodoluminescence, and Raman. The dislocation luminescence peaking at 3.12 eV exhibits a series of special properties in the cathodoluminescence measurements, and it completely disappears after anne...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Springer
2014
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4275118/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25593548 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-649 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|