טוען...
Dislocation luminescence in GaN single crystals under nanoindentation
This work presents an experimental study on the dislocation luminescence in GaN by nanoindentation, cathodoluminescence, and Raman. The dislocation luminescence peaking at 3.12 eV exhibits a series of special properties in the cathodoluminescence measurements, and it completely disappears after anne...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Springer
2014
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4275118/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25593548 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-649 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|