লোডিং...
Effect of ion implantation energy for the synthesis of Ge nanocrystals in SiN films with HfO(2)/SiO(2 )stack tunnel dielectrics for memory application
Ge nanocrystals (Ge-NCs) embedded in SiN dielectrics with HfO(2)/SiO(2 )stack tunnel dielectrics were synthesized by utilizing low-energy (≤5 keV) ion implantation method followed by conventional thermal annealing at 800°C, the key variable being Ge(+ )ion implantation energy. Two different energies...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer
2011
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211230/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711708 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-177 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|