Effect of ion implantation energy for the synthesis of Ge nanocrystals in SiN films with HfO(2)/SiO(2 )stack tunnel dielectrics for memory application

Ge nanocrystals (Ge-NCs) embedded in SiN dielectrics with HfO(2)/SiO(2 )stack tunnel dielectrics were synthesized by utilizing low-energy (≤5 keV) ion implantation method followed by conventional thermal annealing at 800°C, the key variable being Ge(+ )ion implantation energy. Two different energies...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Sahu, Bhabani Shankar, Gloux, Florence, Slaoui, Abdelilah, Carrada, Marzia, Muller, Dominique, Groenen, Jesse, Bonafos, Caroline, Lhostis, Sandrine
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer 2011
נושאים:
Nano Express
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211230/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711708
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-177
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים