Đang tải...
Interfacial, Electrical, and Band Alignment Characteristics of HfO(2)/Ge Stacks with In Situ-Formed SiO(2) Interlayer by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
In situ-formed SiO(2) was introduced into HfO(2) gate dielectrics on Ge substrate as interlayer by plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD). The interfacial, electrical, and band alignment characteristics of the HfO(2)/SiO(2) high-k gate dielectric stacks on Ge have been well investigated. It...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer US
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5445033/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28549375 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2083-z |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|