Đang tải...
Electrical behavior of MIS devices based on Si nanoclusters embedded in SiO(x)N(y )and SiO(2 )films
We examined and compared the electrical properties of silica (SiO(2)) and silicon oxynitride (SiO(x)N(y)) layers embedding silicon nanoclusters (Sinc) integrated in metal-insulator-semiconductor (MIS) devices. The technique used for the deposition of such layers is the reactive magnetron sputtering...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2011
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211223/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711698 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-170 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|