লোডিং...
Electrical behavior of MIS devices based on Si nanoclusters embedded in SiO(x)N(y )and SiO(2 )films
We examined and compared the electrical properties of silica (SiO(2)) and silicon oxynitride (SiO(x)N(y)) layers embedding silicon nanoclusters (Sinc) integrated in metal-insulator-semiconductor (MIS) devices. The technique used for the deposition of such layers is the reactive magnetron sputtering...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer
2011
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211223/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711698 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-170 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|