Đang tải...
Top-Gated Graphene Nanoribbon Transistors with Ultra-Thin High-k Dielectrics
The integration ultra-thin high dielectric constant (high-k) materials with graphene nanoribbons (GNRs) for top-gated transistors can push their performance limit for nanoscale electronics. Here we report the assembly of Si/HfO(2) core/shell nanowires on top of individual GNRs as the top-gates for G...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
2010
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2965644/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/20380441 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/nl100840z |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|