Đang tải...

High-κ oxide nanoribbons as gate dielectrics for high mobility top-gated graphene transistors

Deposition of high-κ dielectrics onto graphene is of significant challenge due to the difficulties of nucleating high quality oxide on pristine graphene without introducing defects into the monolayer of carbon lattice. Previous efforts to deposit high-κ dielectrics on graphene often resulted in sign...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Liao, Lei, Bai, Jingwei, Qu, Yongquan, Lin, Yung-chen, Li, Yujing, Huang, Yu, Duan, Xiangfeng
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: National Academy of Sciences 2010
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2872405/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/20308584
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1073/pnas.0914117107
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!