লোডিং...
High speed graphene transistors with a self-aligned nanowire gate
Graphene has attracted considerable interest as a potential new electronic material1–11. With the highest carrier mobility exceeding 200,000 cm(2)/V·s, graphene is of particular interest for ultra-high speed radio frequency (RF) electronics12–18. However, the conventional dielectric integration and...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
2010
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2965636/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/20811365 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/nature09405 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|