تحميل...
Growth of Inclined GaAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy: Theory and Experiment
The growth of inclined GaAs nanowires (NWs) during molecular beam epitaxy (MBE) on the rotating substrates is studied. The growth model provides explicitly the NW length as a function of radius, supersaturations, diffusion lengths and the tilt angle. Growth experiments are carried out on the GaAs(21...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Springer
2010
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2956022/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21076695 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1007/s11671-010-9698-7 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|